מוצרי החודש

 

NXP_logo_color.jpg-Apr-21-2022-01-15-29-97-AM

הורד גיליון נתונים

קנה עכשיו

 


AFT05MS003N1

התקן N-Channel Lateral MOSFET מסוג Enhancement-Mode מוקשח במיוחד, המיועד ליישומי רדיו דו-כיווניים ידניים-ניידים, בעלי טווחי תדרים בין 1.8 עד 941MHz. הקשיחות הגבוהה לצד ביצועי gain ו-wideband מעולים הופכים את ההתקן לאידיאלי עבור מגברים ניידים גדולי-אות בעלי קונפיגורציית common-source.

בדידים

AFT05MS003N_NXP.png-1

 

 
 

 

NXP_logo_color.jpg-Apr-21-2022-01-15-29-97-AMהורד גיליון נתונים

קנה עכשיו

 



MC7447AHX1420LB

ה-MPC7447A הוא מעבד 32-ביט אשר משלב בין ביצועים גבוהים והספק נמוך לבין ארכיטקטורת RISC. מאפייני המפתח שלו כוללים זיכרון מטמון L2 (cache) בגודל 512KB על-השבב, ממשק אפיק נתונים בגודל 64-ביט, וכולל את טכנולוגיית ה-®™AltiVec שלנו בגודל 128-ביט אשר הוטמעה במלואה. מעבדי MPC7447A הם אידיאליים עבור יישומים בחזית הקדמה אשר דורשים יכולת חישוביות מתקדמת, עבור יישומי בקרה לרשתות משובצות (embedded network), ועבור יישומי עיבוד אותות. מיקרו-מעבדים אשר בנויים על בסיס ארכיטקטורת POWER זוכים למגוון רחב של מערכות הפעלה, קומפיילרים, וכלי פיתוח שונים מספקי צד-שלישי.

עיבוד & היקפי

MC7447AHX1420LB_NXP-1

 

 
 

TexasInstruments_logo_color-Apr-21-2022-01-18-30-79-AM

הורד גיליון נתונים

קנה עכשיו

 
 



LM4040CIM3X-2.5/NOPB

ה-LM4040 שייך למשפחת התקני מתחי הייחוס המדויקים והוא זמין במארזי SC70 ו-SOT-23 הזעירים במיוחד. העיצוב המתקדם שלו מבטל כל צורך בייצוב באמצעות קבל חיצוני, ומבטיח יציבות עבור כל עומס קיבולי. גרסאות ה-LM4040 השונות זמינות עם מתחי פריצה (break down voltage) הפוכים קבועים: 8.192V ,5.000V ,4.096V ,3.000V ,2.500V ,2.048V,
ו-10.000V.

מעגלים אנלוגיים ומעורביםLM4040CIM3X-2.5NOPB_texas_Instruments.png-1

 

 
 

    Infineon_logo_color-Apr-21-2022-01-25-44-41-AM

הורד גיליון נתונים

קנה עכשיו

 
 

IRF6644TRPBF

ה-IRF6644PbF משלב בין טכנולוגיית ה-®HEXFET עבור Power MOSFET סיליקון לבין מארזי ®DirectFET מתקדמים אשר יחד מביאים להתקן בעל התנגדות נמוכה במיוחד בהפעלה (on-state). מארז ה-®DirectFET מאפשר קירור דו-צדדי וממקסם את יכולת ההעברה התרמית במערכות הספק. ההתקן עבר אופטימיזציה עבור טופולוגיות Bridge בצד הראשוני עבור יישומי DC-DC מבודדים, עבור מגוון רחב של יישומי טלקומוניקציה בעלי קלט אוניברסלי (36V-75V), ועבור יישור זרם (רקטיפיקציה) סינכרוני בצד השניוני בטופולוגיות DC-DC מווסתות.

בדידים

IRF6644TRPBF_infineon.png

 

 
 

    Infineon_logo_color-Apr-21-2022-01-25-44-41-AM

הורד גיליון נתונים

קנה עכשיו

 


S29GL512S11DHB020

ה-S29GL01G/512/256/128S הם זיכרונות הבזק MirrorBit® Eclipse אשר מציעים דפדוף בזמן גישה קצר, לצד זמן גישה אקראית תואם. הם מציעים חוצץ כתיבה שמאפשר תכנות של 256 מילים/512 בתים בפעולה בודדת, אשר בא לידי ביטוי בזמני תכנות מהירים יותר. כל אלו הופכים את ההתקנים הללו למתאימים במיוחד עבור יישומים משובצים אשר דורשים צפיפות גדולה, ביצועים גבוהים, וצריכת הספק נמוכה.

זיכרון-אחסון

S29GL512S11DHB020_with logo.png-1

 

 
הצג את כל המוצרים